Hersteller Produktnummer:
TSM60N900CI C0G
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM60N900CI C0G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventar:
12894521
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
TSM60N900CI C0G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 2.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
480 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ITO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basis-Produktnummer
TSM60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
TSM60N900CIC0G
TSM60N900CI C0G-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFIB6N60APBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
900
TEILNUMMER
IRFIB6N60APBF-DG
Einheitspreis
1.71
ERSATZART
Similar
Teilenummer
IRFIBC40GLCPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IRFIBC40GLCPBF-DG
Einheitspreis
2.10
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
TSM2303CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23
DMT3009LFVWQ-13
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
DMTH10H010SCT
MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
